DMD無掩膜光刻技術是從(cong) 傳(chuan) 統光學光刻技術衍生出的一種新技術，因為(wei) 其曝光成像的方式與(yu) 傳(chuan) 統投影光刻基本相似，區別在於(yu) 使用數
字DMD代替傳(chuan) 統的掩膜，其主要原理是通過計算機將所需的光刻圖案通過軟件輸入到DMD芯片中，並根據圖像中的黑白像素的分布來
改變DMD芯片微鏡的轉角，並通過準直光源照射到DMD芯片上形成與(yu) 所需圖形一致的光圖像投射到基片表麵，並通過控製樣品台的移
動實現大麵積的微結構製備。設備原理圖圖下圖所示。相對於(yu) 傳(chuan) 統的光刻設備，DMD無掩膜光刻機無需掩膜，節約了生產(chan) 成本和周期
並可以根據自己的需求靈活設計掩膜。
光刻是指利用光學複製的方法把圖形印製在光敏記錄材料上，然後通過刻蝕的方法將圖形轉移到晶圓片上來製作電子電路的技術。其中光刻係統被稱為(wei) 光刻機，帶有圖形的石英板稱為(wei) 掩膜，光敏記錄材料被稱為(wei) 光刻膠或抗蝕劑。具體(ti) 光刻流程如下圖所示
光刻技術是集成電路製造、印刷電路板製造以及微機電元件製造等微納加工領域的核心技術之一。進入21世紀以來,隨著電子信息產(chan) 業(ye) 的高速發展,集成電路的需求出現了井噴式的增長。使的對掩膜的需求急劇增加，目前製作掩膜的主要技術是電子束直寫(xie) ，但該製作效率非常低下，並且成本也不容小覷，在這種背景下人們(men) 把目光轉移到了無掩膜光刻技術。
備受關(guan) 注的無掩膜光刻技術大概可以分為(wei) 兩(liang) 類：1）帶電粒子無掩膜光刻；例如電子束直寫(xie) 和離子束光刻技術等。2）光學無掩膜技術；例如DMD無掩膜光刻技術、激光直寫(xie) 、幹涉光刻技術、衍射光學元件光刻技術等。
其中DMD無掩膜光刻技術是從(cong) 傳(chuan) 統光學光刻技術衍生出的一種新技術，因為(wei) 其曝光成像的方式與(yu) 傳(chuan) 統投影光刻基本相似，區別在於(yu) 使用數字DMD代替傳(chuan) 統的掩膜，其主要原理是通過計算機將所需的光刻圖案通過軟件輸入到DMD芯片中，並根據圖像中的黑白像素的分布來改變DMD芯片微鏡的轉角，並通過準直光源照射到DMD芯片上形成與(yu) 所需圖形一致的光圖像投射到基片表麵，並通過控製樣品台的移動實現大麵積的微結構製備。設備原理圖圖下圖所示。相對於(yu) 傳(chuan) 統的光刻設備，DMD無掩膜光刻機無需掩膜，節約了生產(chan) 成本和周期並可以根據自己的需求靈活設計掩膜。相對於(yu) 激光直寫(xie) 設備，DMD芯片上的每一個(ge) 微鏡都可以等效看成一束獨立光源，其曝光的過程相當於(yu) 多光束多點同時曝光可極大提高生產(chan) 效率特別是對於(yu) 結構繁瑣的圖形。
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