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C波段超窄線寬可調諧(100nm)激光器
Laser（分布式反饋激光器）多種分立波長將光柵級成在半導體(ti) 激光器內(nei) 部，光柵和激光器內(nei) 部周期結構匹配進行模式篩選得一種激光器DBR Laser（分布式布拉格反射激光器）多種分立波長類似於(yu) DFB激光器，光柵位置不同，光柵位於(yu) 激光器有源區之外vcselLaser（垂直腔麵發射激光器）多種分立波長基於(yu) 半導體(ti) 層積技術得一種垂直於(yu) 芯片表麵發射得激光器，區別於(yu) 以前半導體(ti) 端麵發射技術，光束質量及光斑會(hui) 好很多，有多種分立波長一般都在紅光到近紅外波段SLED（Superluminescent Light Emitting Diodes）多種分立波長寬帶激光器介於(yu) 半導體(ti) 激光器和半導體(ti) 二極管的一種寬帶寬的激光器，單 ...
薄膜铌酸鋰電場傳(chuan) 感器（本文譯自Thin film lithium niobate electric fieldsensors（Seyfollah Toroghi ,Payam Rabieia)）1介紹電光電場(E-field)傳(chuan) 感器在許多国产成人在线观看免费网站中都需要，例如天線近場表征，太赫茲(zi) 信號檢測，加速器中的帶電粒子束表征，電網監測，和射頻消融手術。電光方法是測量電場的zui佳方法之一，電場會(hui) 導致電光晶體(ti) 的折射率變化。然後可以用精確的測量設備檢測到這種變化。由於(yu) 電光材料是一種介電材料，它不會(hui) 幹擾或散射電磁場。此外，由於(yu) 光纖電纜用於(yu) 傳(chuan) 輸信號，任何附加的布線都不會(hui) 吸收噪音，因此，探頭可以在非常嘈雜的環境中使用， ...
，對於(yu) 經典的分布式反饋激光器，在一定偏置電流下的輸出功率強烈依賴於(yu) 熱沉溫度，需要對激光功率進行監測和閉環控製，從(cong) 而提高了激光封裝的成本。如圖5所示，VCSEL峰值功率隨溫度線性下降，但對於(yu) 給定的驅動電流（例如，在這種情況下為(wei) 5mA）幾乎保持恒定，使激光功率保持在1mW左右。此外，5mA的調製帶寬足以在0-85℃的溫度範圍內(nei) 達到10Gb/s，這是通過優(you) 化35nm的模式增益偏移來實現的，從(cong) 而在60℃時產(chan) 生Min閾值電流Ith。圖5 VCSEL輸出的溫度特性——功率、閾值電流和調製帶寬。單模功率和帶寬幾乎恒定在5毫安驅動電流，冗餘(yu) 監控二極管。結論在這封信中，我們(men) 展示了具有改進的高速和高溫性能的1.5 ...
趣。此外，與(yu) 分布式反饋激光器（DFB）和SiPHotonics等競爭(zheng) 技術相比，VCSELs可能更便宜。使用1530nm的VCSEL和雙分導前饋預強調驅動器，在無錯誤運行下，在2km範圍內(nei) 實現56Gb/s的不歸零（NRZ）。為(wei) 了国产成人在线观看免费网站高階調製格式，需要前向糾錯（FEC）編碼。有人在1530nm的18gHz帶寬VCSEL下，在高達2km的SSMF上展示了56Gb/sPAM-4。假設硬判罰（HD）FEC為(wei) 7%，需要在接收端進行強大的均衡。在2010年，還有人演示了56Gb/s的PAM-4，誤碼率（BER）低於(yu) 1E-6，用於(yu) 光學背靠背（b2b），由4分頻預強調驅動器和22GHzVCSEL在1533nm下 ...
明顯的加熱。分布式反饋激光器已經由與(yu) DFB-C工藝相同的材料製成。波導核心在有源區兩(liang) 側(ce) 包括InGaAs包層，以增加光約束。我們(men) 的dfb利用了波導的這一特性，在波導InGaAs包層中蝕刻一個(ge) 周期圖案，隨後再生長InP低折射率層作為(wei) 光波導的頂部包層。在另一種方案中，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一定距離的地方生長，中間有一個(ge) InP緩衝(chong) 層。這使我們(men) 能夠使用選擇性蝕刻，並在不影響有源區域的情況下通過InGaAs層進行蝕刻。埋藏異質結構的選擇性生長和接觸沉積完成了激光加工。圖5圖6單模器件的結果如圖5所示，在15◦C下，我們(men) 從(cong) 單個(ge) 發射極獲得了高達約Pout = 180 mW的連續功率。2毫米長的器 ...
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