光子能量高於(yu) 量子阱(QW)帶隙的近紅外脈衝(chong) 調製QCL不同，我們(men) 比較了在室溫下光子能量低於(yu) 和高於(yu) 0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW帶隙的兩(liang) 種不同的近紅外泵對QCL傳(chuan) 輸的調製。當光子能量高於(yu) QW帶隙時，電子將從(cong) 價(jia) 帶被激發到導帶，然後通過帶間躍遷放鬆回價(jia) 帶。當泵浦光子能量低於(yu) QW帶隙時，由於(yu) 光子沒有足夠的能量，將不會(hui) 發生帶間躍遷。相反，在傳(chuan) 導帶較低的子帶中的電子將被激發到較高的子帶或連續區。直接測量諧振中紅外脈衝(chong) 的傳(chuan) 輸變化提供了有關(guan) QCL增益調製的信息。圖1(a)顯示了我們(men) 實驗裝置的原理圖。利用由Ti:藍寶石振蕩器、Ti:藍寶石再生放大器、光學參量放大器(OPA)和自製差頻發生器( ...
壘分隔的應變量子阱組成。這些激光器的混合後視鏡由3.5對CaF2-ZnS和金層（反射率=99.9%）組成。圖1為(wei) 埋地式隧道結（BTJ）VCSEL的設計。該芯片安裝在具有本地連接器（LC）插座的發射器光學組件（TOSA）模塊中，該模塊包括光隔離器、監測二極管和50Ω撓性電路連接。在相應的電流和溫度範圍內(nei) ，單模光譜顯示出超過40dB的側(ce) 模抑製比。室溫下的帶寬超過10GHz，受到VCSEL內(nei) 層內(nei) 部寄生和熱效應的限製。但是，該帶寬可以實現12.5Gb/s的數據傳(chuan) 輸。2.線寬測量對被測1.33-um VCSEL裝置進行了不同溫度下連續波工作的線寬測量，采用延遲自外差法，解相關(guan) 長度為(wei) 70m。圖2顯示了線寬 ...
為(wei) 鈍化劑。在量子阱中引入壓縮應變，可以降低透明載流子密度，提高（差分）增益，從(cong) 而實現高速運行。為(wei) 了降低空間電荷區的寄生電容，降低了InP-regrowth層的摻雜水平，從(cong) 而有力地降低了器件的寄生。對於(yu) 有源直徑為(wei) 5μm的器件，室溫下的光輸出功率超過2mw，80℃時的光輸出功率超過0.8mW（圖1.b）。應該指出的是，由於(yu) 減少了散熱量，在大信號調製下，熱滾轉轉移到更高的電流。閾值電流分別低至1ma和2ma。由於(yu) 這些器件的高耦合效率高達60%，因此可以實現高光纖耦合功率幅值。頻譜顯示單模工作，側(ce) 模抑製比在滾轉電流下超過40dB。圖1 (a)短腔VCSEL截麵示意圖(b)25°C和80°C時的l-i特 ...
接器件和含氮量子阱。我們(men) 的解決(jue) 方案是基於(yu) InP的單片方法，使用埋藏隧道結（BTJ）作為(wei) 電流孔徑。利用這一概念，我們(men) 已經展示了1.55μm具有卓越高速性能的器件。此外，我們(men) 將器件安裝到發射器光學子組件（TOSA）模塊中，該模塊可以輕鬆集成到現有的發射器基礎設施中。結構和VCSEL特性目前高速1.3µm VCSEL的基本結構與(yu) 先前基本相同，但優(you) 化了熔覆層的熱管理，提高了底鏡反射率。外延輸出鏡由InGaAlAs/InAlAs層對組成，有源區由7個(ge) 由拉伸應變勢壘分隔的應變量子阱組成。這些激光器的混合後鏡由3.5對CaF2/ZnS和一層金組成。激光芯片及結構示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數鈍化，以 ...
隔的壓縮應變量子阱。電流約束由埋地隧道結完成，允許用具有低損耗和歐姆加熱的n型材料代替p導電。所有激光器都是完全分離的，可以很容易地單獨解決(jue) 。圖1 1×12 VCSEL陣列的俯視圖和原理圖截麵，長度是250um到目前為(wei) 止，我們(men) 已經製作了4、8和12個(ge) VCSEL陣列，具有高成品率和良好的均勻性。單片集成一維陣列的主要優(you) 點是固定間距。再加上倒裝芯片的能力，這些器件特別適合組合成集成光學係統，如聚合物基光波導板。此外，為(wei) 了提供並行鏈路和光纖帶傳(chuan) 輸的模塊，VCSEL陣列已經成功部署。更多詳情請聯係昊量光電/歡迎直接聯係昊量光電關(guan) 於(yu) 昊量光電：上海昊量光電設備有限国产黄色在线观看是光電国产欧美在线專(zhuan) 業(ye) 代理商，国产欧美在线包括各類激光 ...
共振的具有四量子阱有源區的8.2-_x0016_m QC激光器的導帶圖的一部分和相關(guan) 波函數的模平方。施加51kv /cm的電場。箭頭表示激光躍遷。(b)基模強度分布圖、層結構分布圖和所用介質波導折射率實部分布圖。激光主動式區域基於(yu) 雙聲子共振設計。活躍區和注入器一個(ge) 周期的層序為(wei) 44/18/9/57/11/54/12/45/25/34/14/33/13/32/15/31/19/29/23/27/ 25/27，其中in Al As勢壘層為(wei) 粗體(ti) ，in Ga As井層為(wei) 粗體(ti) ，n摻雜層（cm）為(wei) 下劃線。電子能帶圖如圖1(a)所示。第4和第3能級之間的激光躍遷能量設計為(wei) 154兆電子伏，能級1、2和3每一級之 ...
操作。高應變量子阱的高微分材料增益也可以提高內(nei) 部弛豫振蕩頻率。在室溫下，我們(men) 提出了創紀錄的高於(yu) 12GHz的調製帶寬，在85℃時降至10GHz，這將使數據速率分別達到17Gb/s，100-G以太網為(wei) 12.5Gb/s。更多詳情請聯係昊量光電/歡迎直接聯係昊量光電關(guan) 於(yu) 昊量光電：上海昊量光電設備有限国产黄色在线观看是光電国产欧美在线專(zhuan) 業(ye) 代理商，国产欧美在线包括各類激光器、光電調製器、光學測量設備、光學元件等，涉及国产成人在线观看免费网站涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微、物聯傳(chuan) 感、激光製造等；可為(wei) 客戶提供完整的設備安裝，培訓，硬件開發，軟件開發，係統集成等服務。您可以通過我們(men) 昊量光電的官方網站www.auniont ...
AlGaAs量子阱組成。在接近臨(lin) 界層厚度的邊緣處，將應變調整為(wei) 壓縮應變的2.5%（擬晶）。這將提高增益和差分增益，從(cong) 而實現低閾值電流和高弛豫振蕩頻率。模式增益偏置針對高溫行為(wei) 進行了優(you) 化。因此，可以得到負T0值，即該器件在60℃散熱器溫度時閾值電流Min低。這種效應是由增益和腔模在溫度上的不同紅移引起的。由於(yu) BTJ允許消除幾乎所有具有較高電阻和光損耗的p導電材料，差分串聯電阻已達到40-50Ω，非常適合高速器件。圖1 高速1.55um基於(yu) inp的BTJVCSEL的示意圖。該裝置安裝在電鍍金假襯底上。在製造過程中去除InP襯底。n-觸點和p-觸點都可以在頂部訪問。觸點板電容被Min化。寄生設備由於(yu) ...
材料體(ti) 係的多量子阱激光器。該器件設計的核心是采用再生n摻雜InP材料的光刻定義(yi) 的埋藏隧道結（BTJ）。這種結構提供了電約束，減少了熱量的產(chan) 生，在高溫下實現了出色的直流和射頻性能。這種激光器使用兩(liang) 個(ge) 介電DBR反射鏡，而不是在VCSELs中傳(chuan) 統使用的半導體(ti) 反射鏡。介質材料之間的大折射率差使得實現具有高反射率的極薄dbr成為(wei) 可能。隨後，激光器具有非常短的諧振腔，約為(wei) 2.5µm。這種短腔設計，加上對外延結構、台麵尺寸和鍵合板電容等性能的精心優(you) 化，有助於(yu) Max限度地提高高達18 GHz的射頻性能。結合低閾值電流，器件能夠以28 Gb/s或更高的速率直接調製。VCSEL輸出處的光學眼圖如圖1 (b)所示。 ...
由七個(ge) 重應變量子阱（每個(ge) 6納米寬）組成，並具有針對高溫行為(wei) 優(you) 化的模式增益偏移。因此，可以得到負T0值，即在較高溫度下閾值電流較低。這種效應是由於(yu) 增益和腔模的紅移隨溫度的不同而引起的。圖1 高速1.55-um VCSEL的截麵示意圖插圖：製作好的VCSEL器件圖片因此，利用這一效應可以改善VCSEL器件的高溫性能。InP是一種良好的熱導體(ti) ，由n包層組成，通過更好地冷卻有源區域，也有助於(yu) 實現高溫操作。這些激光器的混合後鏡由3.5對CaF2-ZnS和一層金組成。孔徑為(wei) 6um的器件在室溫下的輸出功率約為(wei) 3mW。閾值電流和電壓分別低至約1mA和0.9V。發現該頻譜為(wei) 單模，在相關(guan) 電流和溫度範圍內(nei) ，側(ce) 模抑製 ...
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