本文介紹了4、8和12高速器件的單片集成長波垂直腔麵發射激光器陣列。這些設備的光刻定義(yi) 間距為(wei) 250米,在20公裏的標準單模光纖中具有10Gb/s的每通道帶寬。整個(ge) 陣列的輸出性能是非常均勻的。發射波長是可尋址的電流調諧,沒有任何誤碼率損失。這為(wei) 城域網絡提供了高度可擴展的帶寬。通過從(cong) 粗波分複用(WDM)到密集波分複用(WDM)操作的遷移,在不進一步投資發射機基礎設施的情況下,帶寬從(cong) 2.5Gb/s升級到80Gb/s是可行的。
用於(yu) 高帶寬WDM-PONs的1.55um vcsel陣列(1)-設備結構
垂直腔麵發射激光器(VCSELs)已被證明是波分複用無源光網絡(wdm-pon)中具有成本效益的光源,近年來製造技術穩步發展,特別是單片一維(1-D)和二維陣列製造。爆炸性的帶寬需求,特別是在上傳(chuan) 和下載速度方麵,將需要在接入網中采用WDM技術。由於(yu) 電信係統的主要問題是連通性,因此未來的係統需要對稱的上下遊帶寬。為(wei) 了在未來實現有吸引力的市場條件,每帶寬的成本必須大幅降低。在這裏,我們(men) 描述並描述了一種一維VCSELs陣列結構,該結構可以在不進一步投資的情況下實現每個(ge) 客戶帶寬的升級(從(cong) 2.5Gb/s到潛在的80Gb/s甚至120Gb/s)。在網絡初始化時,每個(ge) 客戶處所的VCSEL發射機陣列將被配置為(wei) 在一個(ge) 波長通道上傳(chuan) 輸上遊數據。用戶之間的波長信道間隔固定在粗波分複用(CWDM)網格上。隨著需求的增加,每個(ge) 客戶的每個(ge) CWDM信道的調製速率可能會(hui) 增加到10gb/s,客戶可能會(hui) 使用1×N VCSELs陣列中的所有激光器來傳(chuan) 輸平行的N×10Gb/s。陣列內(nei) 激光器之間的波長間隔固定為(wei) 密集波分複用(DWDM)。
在本文中,我們(men) 首次進行了調製帶寬超過10GHz的1.55um VCSEL陣列的數據傳(chuan) 輸實驗,並提出了一種新的可擴展帶寬升級的国产成人在线观看免费网站方案。
設備結構
本研究所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。基本結構是先前發表的高速1.55um VCSEL結構,單片集成到一維陣列結構中,光刻定義(yi) 的間距為(wei) 250um。
對於(yu) 高帶寬的電信国产成人在线观看免费网站,保持較低的寄生電容是必不可少的。這導致如圖1所示的結構,具有10um厚的低介電常數鈍化苯並環丁烯,市售名稱為(wei) Cyclotene 3022-57。該裝置本身隻有30um寬。芯片的p側(ce) 觸點可以在設備的頂部和底部進行訪問,以實現各種安裝方式。在製造過程中,去除InP襯底,並集成電鍍金散熱器。頂部和底部鏡麵分別由33.5對InGaAlAs-InAlAs和3.5對附加Au塗層的CaF2-ZnS組成。有源區包括七個(ge) 由拉伸應變勢壘分隔的壓縮應變量子阱。電流約束由埋地隧道結完成,允許用具有低損耗和歐姆加熱的n型材料代替p導電。所有激光器都是完全分離的,可以很容易地單獨解決(jue) 。
圖1 1×12 VCSEL陣列的俯視圖和原理圖截麵,長度是250um
到目前為(wei) 止,我們(men) 已經製作了4、8和12個(ge) VCSEL陣列,具有高成品率和良好的均勻性。單片集成一維陣列的主要優(you) 點是固定間距。再加上倒裝芯片的能力,這些器件特別適合組合成集成光學係統,如聚合物基光波導板。此外,為(wei) 了提供並行鏈路和光纖帶傳(chuan) 輸的模塊,VCSEL陣列已經成功部署。
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