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Kinetix係列3200X3200背照式科學級sCMOS相機
銦镓砷相機ARTRAY/寬波段近紅外相機/SWIR短波紅外相機
Prime係列背照式科學級sCMOS相機
短波紅外相機 短波紅外鏡頭 銦镓砷近紅外相機 ARTRAY相機 900-1700nm/1000-2500/1550CCD
Scontel高效率QE>95%超導納米線單光子探測器
900 —1700nm近紅外單光子探測器
紫外科研CCD相機(深度製冷至-100度)
光譜可調校準均勻光源
太陽能電池專(zhuan) 用光譜成像及特性分析係統
25cps,量子效率在650nm附近可高達到70%。但由於(yu) 帶隙寬度的限製,矽APD對波長1微米以上的光沒有響應。在近紅外光波段(1100~1650nm),目前性能很好的是基於(yu) 銦镓砷()APD的單光子探測器,其量子效率在1.55μm波長處能達約25%,暗計數約10^3cps左右。總體(ti) 而言,不論光電倍增管還是基於(yu) APD的單光子探測器,其量子效率、暗計數等性能遠不能滿足量子信息計數發展的需要,特別是針對所謂的線性量子計算,對單光子探測器性能要求更高。即使在傳(chuan) 統的光纖通信和熒光光譜領域的国产成人在线观看免费网站,對單光子探測器的性能提高也非常迫切。可是傳(chuan) 統的單光子探測器的性能已基本達到極限,很難再有本質的提高。2001年 ...
太陽能電池的量子效率提升達到了瓶頸。為(wei) 了不斷改進下一代CIS電池並打破這一限製,必須要清楚的理解製造工藝對太陽能電池性能的影響。 考慮到這一點,IRDEP(法國光伏能源研究院)的研究人員利用光致發光(PL)成像對多晶CuInS2太陽能電池進行了表征。高光譜顯微成像平台(IMA Photon)可提供2nm的光譜分辨率和優(you) 於(yu) 2μm的空間分辨率。該設備采用532nm的激發光在顯微鏡整視場下均勻的激發。如圖 1為(wei) 圖 2中選擇的不同研究區域的PL光譜。 圖 2 顯示的是整個(ge) 器件的PL成像圖譜[3]。全局成像可快速獲得樣品的不均一性。通過這種技術研究人員可以在空間上監控多個(ge) 屬性。的確,PL最大限度詳盡的 ...
CIGS設備量子效率超過20%,並且有較好的重複性。但是這種效率依舊低於(yu) Shockley-Queisser的理論計算值。這在一定程度上歸因於(yu) 由於(yu) 多晶性質引起的太陽能電池的不均一性,這也使材料性能和整體(ti) 性能的關(guan) 係模糊。為(wei) 了量化形態對太陽能電池量子效率的影響,研究不同性質在空間上的變化將變的至關(guan) 重要。 考慮到這一點,IRDEP(法國光伏能源研究院)的研究人員對CIGS微型太陽能電池(直徑為(wei) 35μm)進行了光致發光PL和電致發光EL光譜成像進行了探究[1]。實驗采用了高光譜成像設備(IMATM),該設備擁有2nm的光譜分辨率和亞(ya) 微米的空間分辨率。電致發光實驗采用Vapp = 0.95 V 的源表。 ...
隨著有機金屬鈣鈦礦太陽能電池的快速發展,過去幾年,尋求靈活、廉價(jia) 且易於(yu) 加工的光伏材料取得了新的發展。這些新型太陽能電池很可能很快就會(hui) 替代目前矽基太陽電池的王者地位。它們(men) 具有高載流子遷移率、對可見光吸收率高和可調諧的帶寬使其成為(wei) 低成本太陽能電池的選擇。但是鈣鈦礦卻有一個(ge) 缺點,它們(men) 的穩定性是不穩定的,它們(men) 當前的壽命隻有2000小時,遠遠小於(yu) 矽的使用時間(52000小時)。如果想要將這一新的光伏之星推向市場,更好的理解光物理學和降解機製變的尤為(wei) 重要。 Photon Etc.的IMA麵成像高光譜顯微設備可解答研究人員關(guan) 於(yu) 為(wei) 什麽(me) 鈣鈦礦具有傑出性能的疑問。IMA可以通過光學測量快速表征二維和三維鈣鈦 ...
000nm,量子效率不超過10%,甚至更低)。針對這個(ge) 兩(liang) 個(ge) 問題,我們(men) 的解決(jue) 辦法就是采用近紅外增強型CCD相機。近紅外增強型CCD相機在950nm附近量子效率高達約50%,在1000nm附近量子效率超過20%,紅外探測能力遠遠超過普通的CCD相機,適合用於(yu) 太陽能電池EL檢測。ELSE xxx DD NIR是德國greateyes国产黄色在线观看研發的近紅外增強型CCD相機,国产成人在线观看免费网站於(yu) 近紅外波段的光譜及影像相機。ELSE xxx DD NIR集成了目前最前沿的低噪聲電子係統和超低溫製冷技術,同時保持了緊湊小巧的設計,被用於(yu) EL/PL檢測、天文觀測、光譜分析、活體(ti) 生物熒光成像等領域。Greateyes相機示意圖近紅 ...
高的靈敏度和量子效率,一般會(hui) 選深度製冷型CCD來提高信噪比,由於(yu) 隻需要光譜和強度兩(liang) 個(ge) 信息,光譜信息由光譜儀(yi) 決(jue) 定,隻需要不同波數上的強度信息,所以出於(yu) 成本考慮都會(hui) 使用線陣CCD。法國GreatEyes深度製冷寬譜CCD相機 ...
了級聯,並使量子效率大於(yu) 單位成為(wei) 可能,從(cong) 而產(chan) 生比半導體(ti) 激光二極管輸出更高的功率。D1個(ge) QCL是在GaInAs/AlInAs材料係統中製作的,晶格匹配於(yu) InP襯底這種特殊的材料係統的導帶偏移量(量子阱深度)為(wei) 520 meV。這些基於(yu) InP的器件在中紅外光譜範圍內(nei) 達到了非常高的性能水平,實現了高於(yu) 室溫的高功率,連續的波發射。1998年,Sirtori等人實現了GaAs/AlGaAs QCLs,證明了QC概念並不局限於(yu) 一個(ge) 材料係統。這種材料係統的量子阱深度隨勢壘中鋁的含量而變化。雖然基於(yu) GaAs的QCL在中紅外波段的性能水平無法與(yu) 基於(yu) InP的QCL相匹配,但它們(men) 已被證明在太赫茲(zi) 頻段非常成功。QCLs ...
效率,即內(nei) 部量子效率、電壓效率、電效率和光學效率。在四個(ge) 次效率中,內(nei) 部量子效率是重要的,它隻能通過探索核心結構[16]的設計來提高。從(cong) 圖1(b)可以看出,內(nei) 部量子效率的提高幅度大。室溫QCL設計是[16]中報道的淺井設計。在室溫連續焊條件下,采用埋脊再生和脫膠下粘接的效果佳。此外,埋地脊構造的脊寬也很重要。需要在低損耗和高導熱方麵做出妥協。詳細的討論可以在[3]中找到。WPE是一個(ge) 重要的指標數字,代表了設備的整體(ti) 質量。盡管過去幾年取得了令人矚目的進展,但要進一步改善性能仍麵臨(lin) 巨大挑戰。如果去除溫度限製,是否可以實現50%的WPE將是很有趣的。50%是一個(ge) 重要的裏程碑,因為(wei) 它標誌著光子產(chan) 生戰勝了 ...
的光譜響應和量子效率取決(jue) 於(yu) 像元。填充因子是光敏麵積對全部像敏麵積之比,影響器件的有效靈敏度、噪聲、時間響應、傳(chuan) 遞函數。噪聲的來源有像元的光電二極管、用作放大器的場效應管、行列選址開關(guan) 的場效應管。最後,對CMOS和CCD做一個(ge) 簡單的比較:您可以通過我們(men) 昊量光電的官方網站www.weilancj.com了解更多的国产欧美在线信息,或直接來電谘詢4006-888-532,我們(men) 將竭誠為(wei) 您服務。 ...
98%的峰值量子效率,以確保最大的信號采集和1.25波數分辨率;適合5-200波數頻率範圍的分析。下圖4為(wei) 上述係統測得的低波數拉曼光譜。圖4您可以通過我們(men) 昊量光電的官方網站www.weilancj.com了解更多的国产欧美在线信息,或直接來電谘詢4006-888-532,我們(men) 將竭誠為(wei) 您服務。 ...
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