在第二代太陽能電池材料中，二硫化銅銦（CuInS2或CIS）是最有前途的材料之一。自上世紀90年代CuInS2就被太陽能電池領域的科
研工作者，當時太陽能電池的效率已達到10%[1]。它具有較高的吸收係數、直接帶隙（1.52V）[2]和無毒性使其成為(wei) 薄膜和量子點敏
化太陽能電池的理想候選者。但是，似乎CIS太陽能電池的量子效率提升達到了瓶頸。為(wei) 了不斷改進下一代CIS電池並打破這一限製，
必須要清楚的理解製造工藝對太陽能電池性能的影響。
在第二代太陽能電池材料中，二硫化銅銦（CuInS2或CIS）是最有前途的材料之一。自上世紀90年代CuInS2就被太陽能電池領域的科研工作者，當時太陽能電池的效率已達到10%[1]。它具有較高的吸收係數、直接帶隙（1.52V）[2]和無毒性使其成為(wei) 薄膜和量子點敏化太陽能電池的理想候選者。但是，似乎CIS太陽能電池的量子效率提升達到了瓶頸。為(wei) 了不斷改進下一代CIS電池並打破這一限製，必須要清楚的理解製造工藝對太陽能電池性能的影響。
考慮到這一點，IRDEP（法國光伏能源研究院）的研究人員利用光致發光（PL）成像對多晶CuInS2太陽能電池進行了表征。高光譜顯微成像平台（IMA Photon）可提供2nm的光譜分辨率和優(you) 於(yu) 2μm的空間分辨率。該設備采用532nm的激發光在顯微鏡整視場下均勻的激發。如圖 1為(wei) 圖 2中選擇的不同研究區域的PL光譜。
圖 2 顯示的是整個(ge) 器件的PL成像圖譜[3]。全局成像可快速獲得樣品的不均一性。通過這種技術研究人員可以在空間上監控多個(ge) 屬性。的確，PL最大限度詳盡的提供了準費米能級分裂的帶隙和波動的成像圖[4]。借助其獲得zuanli的光譜和光度的絕對校準，IRDEP可以獲取器件的光電特性，例如EQE,Voc等。
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1）激發光源均勻分布整視野，作用於(yu) 樣品表麵激光功率密度較低，同時避免了由於(yu) 局部照明造成的載流子複合即使在較低功率下可獲得高信噪比圖像。
2）整視野麵成像，采用光譜掃描，成像速度快，150x150μm 2成像範圍僅(jin) 需8分鍾
3）可做絕對校準，獲得光譜絕對強度，獲取器件光電特性如EQE,Voc等
4）可選擇不同波長的激光作為(wei) 激發光源
5）集熒光成像、電致發光、光致發光、透射率、反射率成像等諸多功能於(yu) 一體(ti) 。
參考文獻：
[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).
[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post anneaLED copper indium disulfide thin films, Superlattices and Microstructures, (2014).
[3] Delamarre A. et al., Characterisation of solar cells using hyperspectral imager, IRDEP.
[4] Delamarre A. , Paire M., Guillemoles J.-F. and Lombez L., Quantitative luminescence mapping of Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells, Progress in Photovoltaics, 10, 1002, (2014).
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