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三軸高頻磁場交流磁場傳(chuan) 感器（5Hz-100KHz）
盒上的交變電場頻率小於(yu) 某一臨(lin) 界值，電場強度大於(yu) 某一臨(lin) 界值時，液晶分子將產(chan) 生紊亂(luan) 的運動，使各處的折射率隨時間發生變化，從(cong) 而使入射光受到散射。這就是動態散射效應。2、扭曲-向列型效應線偏光在液晶內(nei) 傳(chuan) 播時，其偏振方向試中於(yu) 液晶分子層的分子長軸方向一致。因此，當液晶前後各放置一片起偏器和相同偏振方向的檢偏器，經過起偏器的偏振光在液晶中偏振方向發生旋轉，再經過檢偏器時光強發生改變。在液晶盒上施加適當的電場，由於(yu) 電場對液晶分子的取向作用，使得大多數分子的長軸或者沿電場方向排列（p型），或者垂直於(yu) 電場排列（n型）。這使線偏光基本不受影響（p型）或受到液晶的雙折射的作用（n型）變成橢圓偏振光。無論p型還是n型 ...
，K（ω）是場頻（ω）、電導率和介電常數的函數：是典型的麥克斯韋-瓦格納電荷兩(liang) 種液體(ti) 界麵處的弛豫時間刻度。如Eq所示。由於(yu) 界麵極化(如充電)是由導電和介電充電共同驅動的，所以位移是兩(liang) 者電學性質的函數流體(ti) 和交流電場頻率。例如，在100 kHz數量級的頻率下，界麵位移的大小僅(jin) 由兩(liang) 種共流流體(ti) 之間的電導率差異決(jue) 定，我們(men) 在這裏將其定義(yi) 為(wei) 界麵電導率(σ2−σ1)。然而，在高頻(通常為(wei) >10MHz)下，位移是由界麵介電常數（ε2−ε1）驅動的。最後，在中頻時，界麵行為(wei) 對電學和電介質的差異都很敏感，由於(yu) fDEP的低頻和高頻特性，如果一個(ge) 流體(ti) 相具有更大的電導率（σ1>σ2），並且相鄰流體(ti) 具有更大的介 ...
影響。當光波場頻率很大且溶液的濃度不太大時，光學常數折射率及消光係數有如下關(guan) 係式：由朗伯定律與(yu) 光強度的定義(yi) 得吸收係數β與(yu) 消光係數k的關(guan) 係為(wei) ：又由比爾定律知，當溶液濃度足夠小以至於(yu) 分子間相互作用能被忽略時，溶液吸收係數β與(yu) 溶液的濃度C成正比，即β=αC，α是與(yu) 濃度無關(guan) 由吸收物質分子的特性決(jue) 定的常數。因此可以得到溶液濃度與(yu) 其折射率之間的關(guan) 係式為(wei) ：由以上推導可知光學常數n、k值和溶液濃度之間的關(guan) 係如式(1-11)所示，而橢偏儀(yi) 測量得到的參數ψ和Δ是光學常數n、k的函數，這意味著溶液直接影響著測試結果，不同濃度溶液帶來的影響不同。所以後續研究過程中溶液以及溶液濃度對測試結果的影響都是具有挑戰性的。4. ...
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