寬可調諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調製（2）-Mems容器結構與(yu) 加工1.半VCSEL結構BCB MEMS可調諧VCSEL的示意圖如圖1所示。它主要由兩(liang) 部分組成：半VCSEL和MEMS DBR。半VCSEL主要由一個(ge) 基於(yu) AlInGaAs的有源區、兩(liang) 個(ge) InP熱和電流擴散層、一個(ge) 埋地隧道結（BTJ）和一個(ge) 固定底部DBR反射鏡組成。由兩(liang) 個(ge) 重摻雜p-AlGaInAs和n-GaInAs層組成的圓形BTJ限製了結構中心的電流，以保證有源區域具有足夠高的電流密度。為(wei) 了實現高斯基模的高放大，增益曲線和光模之間的重疊必須是z佳的。這隻能在束腰符合BTJ半徑的情況下實現。因此，由於(yu) 其不同的橫向 ...
，可以將激光波長調諧到1584nm。這對應於(yu) 60nm的連續單模調諧，中心波長為(wei) 1554nm。在1584nm的發射波長處，激光模式與(yu) 下一個(ge) 高階縱向模式競爭(zheng) ，當MEMS電流高於(yu) 27mA時，縱向模式zui終在1524nm處開始激光。排放峰值隨加熱功率的變化如圖4(b)所示。依賴於(yu) Lair的發射波長λ與(yu) 加熱功率P熱成正比，也與(yu) 調諧電流Imems的平方成正比：其中，Rmems=40Ω為(wei) MEMS電極的歐姆電阻。由於(yu) 工藝相關(guan) 問題，ARC部分蝕刻。因此，激光器無法調諧到整個(ge) FSR，該MEMS VCSEL的FSR為(wei) 94nm。值得一提的是，FSR可以通過進一步減小犧牲層的厚度來提高，從(cong) 而使半VCSEL和MEMS ...
寬可調諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調製（4）-動態測量1)小信號調製響應：小信號調製響應的S21參數給出了激光動態行為(wei) 的估計。在不同的偏置電流和不同的發射波長下進行了實驗。散熱器溫度設置為(wei) 20℃。該芯片的共麵連接由級聯地麵信號40GHz探頭直接連接。用接觸針單獨探測MEMS進行電熱驅動，如圖7所示。27GHz皮秒脈衝(chong) 偏置電路將來自矢量網絡分析儀(yi) （Agilent Technologies E5071C ENA）的高頻信號與(yu) 來自激光二極管控製器的直流偏置相結合。小信號功率電平設置為(wei) −7dbm。輸出光與(yu) 標準單模透鏡光纖對接耦合。zui後，一個(ge) 光電二極管（Anritsu MN47 ...
；這種裝置的波長調諧也可用於(yu) WDM傳(chuan) 輸。我們(men) 實現了一種新型的1580nmVCSEL，型號為(wei) VertilasVL-1585-10-SE-T4。該器件的閾值電流為(wei) 0.85mA，在25°C下提供3.9mW的光功率，並且可以在沒有溫度或波長控製的情況下工作。VCSEL使用的原型機沒有紮辮子；在器件孔徑處對準一個(ge) 劈裂的SMF尾纖，收集輸出光束。在功率和波長對施加偏置電流的響應方麵，該器件的直流特性如圖1a所示。插圖顯示了得到的光譜樣本；非調製連續波（實心，黑色）和調製（紅色，虛線）輸出。器件波長在1575-1580nm之間變化；獲得的Max光功率為(wei) 0.6mW(-2.55dBm)；側(ce) 模抑製比（SMSR）為(wei) ...
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