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而導致較低的自由載流子吸收,這通常是QCL器件中大部分波導損耗的原因。在這種相對較低的摻雜水平下,由於(yu) 缺乏非常精確的校準工具,可能很難將不同基團之間的摻雜水平相關(guan) 聯,因此估計活性區摻雜水平的一種方便方法是比較QCL結構中的Max隧道電流,因為(wei) 它與(yu) 注入器中的摻雜水平成正比實際上,在本研究中,Max隧穿電流密度約為(wei) 1.35 kA/cm2,表明本研究中結構的摻雜水平要低得多;這與(yu) 本文文獻12中的3.8 cm−1和1.84 cm−1的內(nei) 部損耗是一致的——遺憾的是,文獻中沒有光損耗報告。zui終,較低的光損耗導致室溫連續波閾值電流密度較低,約為(wei) 0.83 kA/cm2,而相關(guan) 文獻分別為(wei) 1.53 kA/cm ...
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