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(DMD)、多量子阱空間光調製器以及聲光調製器等。還可以用紫外光刻來製作特定的衍射光學元件來調製光場。現在用的較多的是由計算機尋址的液晶空間光調製器實現全息元件，通過改變全息元件就可以使得所形成的光阱作動態變化。在計算機出現之前，需要采用激光全息的方法形成有限形狀的全息圖。目前在計算機的輔助下，可以實現任意形狀的全息圖。不過，每實現一種新設計的光阱，都需要重新計算相應的全息圖。隨著計算機速度的不斷刷新以及新的算法的出現，在一般的科研實驗室已經可以很容易實現任意形狀的全息光鑷。原則上全息光鑷可以產(chan) 生任意形狀、大小、數量的光阱。通過改變捕獲光的相位分布，可以使捕獲粒子在光阱中按設定的路線運動，為(wei) 實 ...
通過在半導體(ti) 多量子阱異質結構的重複堆棧中使用子帶間躍遷實現的。這個(ge) 想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導體(ti) 中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導體(ti) 晶體(ti) 中，電子可能占據兩(liang) 個(ge) 連續能帶中的一個(ge) ——價(jia) 帶，其中大量填充著低能電子；導帶，其中少量填充著高能電子。這兩(liang) 個(ge) 能帶被一個(ge) 帶隙隔開，在這個(ge) 帶隙中沒有允許電子占據的狀態。傳(chuan) 統的半導體(ti) 激光二極管，當導帶中的高能量電子與(yu) 價(jia) 帶中的空穴重新結合時，通過單個(ge) 光子發出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發射波長由所使用的材料係統的帶隙決(jue) 定。然而，QCL在其光學活性區不使用塊半導體(ti) 材料。相反，它由一係列周期性的 ...
質頂部塗層的多量子阱SESAM，獲得高飽和通量Fsat=142J/cm2，調製深度R=1.1%。(b)激光輸出功率和脈衝(chong) 持續時間隨總泵浦功率的變化。圖1(a)顯示了我們(men) 的自由運行雙光頻梳激光腔的布局。我們(men) 使用多模泵浦二極管和端泵浦腔結構，類似於(yu) 我們(men) 之前報道的偏振複用雙梳狀激光器的配置[20,21]。然而，與(yu) 過去的報道相反，在有源元件，即增益晶體(ti) 和半導體(ti) 飽和吸收鏡(SESAM)上的空間分離是通過插入一個(ge) 具有高度反射塗層的雙棱鏡來獲得的。通過使用一個(ge) 頂角179°的雙棱鏡，我們(men) 獲得了在增益介質上模式分離1.6 mm和在SESAM上模式分離1 mm。圖1(b)顯示了掃描泵浦功率時單個(ge) 光梳的性能。該 ...
P材料體(ti) 係的多量子阱激光器。該器件設計的核心是采用再生n摻雜InP材料的光刻定義(yi) 的埋藏隧道結（BTJ）。這種結構提供了電約束，減少了熱量的產(chan) 生，在高溫下實現了出色的直流和射頻性能。這種激光器使用兩(liang) 個(ge) 介電DBR反射鏡，而不是在VCSELs中傳(chuan) 統使用的半導體(ti) 反射鏡。介質材料之間的大折射率差使得實現具有高反射率的極薄dbr成為(wei) 可能。隨後，激光器具有非常短的諧振腔，約為(wei) 2.5µm。這種短腔設計，加上對外延結構、台麵尺寸和鍵合板電容等性能的精心優(you) 化，有助於(yu) Max限度地提高高達18 GHz的射頻性能。結合低閾值電流，器件能夠以28 Gb/s或更高的速率直接調製。VCSEL輸出處的光學眼圖如圖1 (b)所示 ...
到非常尖銳的多量子阱界麵，對襯底溫度、界麵切換機製、生長速率、V/III比等生長參數進行了迭代生長條件優(you) 化。雖然還沒有完全解釋，界麵粗糙度肯定在QCL性能的定義(yi) 中起作用。模擬和實測x射線衍射曲線對比如圖1所示。測量是在用於(yu) MWIR QCL設計的InGaAs/InAlAs多層材料上進行的，生長應變分別為(wei) ~ 1%的拉伸/壓縮應變平衡。總的來說，需要在完整的結構中實現少量的殘餘(yu) 應變，並且x射線圖中的衛星峰需要窄才能認為(wei) 材料質量好。仿真曲線與(yu) 實驗曲線吻合較好控製生長參數。用極化子C-V測試來監測結構中的摻雜情況。采用高分辨率掃描電子顯微鏡（SEM）和諾瑪斯基顯微鏡（Nomarski microscop ...
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