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隻能看到針狀納米棒的合成。接著用PTCDA處理了SiO2/Si,Si，PTCDA充當CVD外延生長的成核中心，並有助於(yu) 在這兩(liang) 種基底上獲得相對較大的二維MoS2。但是圖2b,e所示的MoS2結晶性不好，因為(wei) 沒有觀察到明顯的層狀結構和規則形狀。如上圖是O2等離子體(ti) 處理的SiO2/Si,Si，O2等離子體(ti) 激活了基底表麵上的原子，正如圖2c所示，在SiO2 / Si上生長的MoS2表現出更加無序的結構。如圖f所示，Si基底尺寸小，在O2等離子體(ti) 清洗後，二維MoS2結晶良好。光學性能如上圖是生長在不同襯底上的MoS2和WS2的WS2的 PL光譜。可以看出長在Si基底上的二維材料的PL信號都很弱，可能是因 ...
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