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對重組而發射電磁輻射的典型帶間半導體(ti) 激光器不同，QCLs是單極的，激光發射是通過在半導體(ti) 多量子阱異質結構的重複堆棧中使用子帶間躍遷實現的。這個(ge) 想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導體(ti) 中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導體(ti) 晶體(ti) 中，電子可能占據兩(liang) 個(ge) 連續能帶中的一個(ge) ——價(jia) 帶，其中大量填充著低能電子；導帶，其中少量填充著高能電子。這兩(liang) 個(ge) 能帶被一個(ge) 帶隙隔開，在這個(ge) 帶隙中沒有允許電子占據的狀態。傳(chuan) 統的半導體(ti) 激光二極管，當導帶中的高能量電子與(yu) 價(jia) 帶中的空穴重新結合時，通過單個(ge) 光子發出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發射波長由所使用的材料係統的帶隙 ...
工程器件，其電磁輻射是通過超晶格量子阱[1]內(nei) 能級間的子帶間躍遷來實現的。自1994年首次實驗演示以來，QCL技術得到了巨大的發展。這些性能水平是結構設計、材料質量和製造技術不斷改進的結果[3-5]。目前，它正在成為(wei) 中紅外(中紅外)和太赫茲(zi) (太赫茲(zi) )頻率範圍內(nei) 的激光源，並在氣體(ti) 傳(chuan) 感、環境監測、醫療診斷、安全和國防[6]中有許多国产成人在线观看免费网站。西北大學量子器件中心(CQD)的目標是推進光電技術，從(cong) 紫外到太赫茲(zi) 光譜區域。這包括基於(yu) III-V半導體(ti) 的許多不同技術的發展[7,8]。自1997年以來，CQD在量子級聯激光器QCL的發展上投入了相當大的努力，特別是在功率、電光轉換效率(WPE)、單模操作、調諧和光束 ...
R)光譜基於(yu) 電磁輻射(例如γ射線)衰減的方法，X射線和中子成像)和基於(yu) 電學的方法。上述每種方法都有優(you) 點和局限性。雖然NMR、γ射線、X射線和中子成像具有高分辨率，但由於(yu) 對大樣本成像需要大量能量，它們(men) 通常限於(yu) 小樣本(從(cong) 幾毫米到幾厘米，取決(jue) 於(yu) 設備和源強度)。此外，伽馬射線、X射線和中子成像是侵入性方法，並且由於(yu) 所需的設施，主要限於(yu) 實驗室。例如，中子成像(射線照相術/斷層照相術)需要中子源，例如核反應堆。相比之下，基於(yu) 電的方法具有較低的空間分辨率，但是它們(men) 是非侵入性的、廉價(jia) 的和快速執行的。各種基於(yu) 電學的方法，例如電阻抗光譜法(EIS)和單頻交流電流測量，已用於(yu) 監測非飽和水流。在水泥基材料中。在大多數 ...
人體(ti) 可以反射電磁輻射。因此，優(you) 選的調製器是諧振波克爾電池。在這種情況下，一個(ge) 小的非線性晶體(ti) 的電容，結合一個(ge) 精心選擇的電感，形成一個(ge) 諧振“坦克”電路，其選擇的頻率是感興(xing) 趣的調製頻率。電感/電容槽電路的諧振頻率可根據公式計算圖1.A用於(yu) 高頻調製的波克爾諧振腔示意圖。B包括調製器的偏振光學原理圖。偏光器的傳(chuan) 輸是由施加在磷酸鈦銣(RTP)非線性晶體(ti) 上的電壓決(jue) 定的。C顯示器電壓(黃色)和激光脈衝(chong) 序列的示波器跡顯示20 MHz調製，調製深度高。其中L和C分別表示所選電感和晶體(ti) 自電容。在諧振頻率處，電路的阻抗變得幾乎無窮大，這意味著在輸入功率相對適中的情況下，可以通過電容(非線性晶體(ti) )獲得高電壓。這是非常可 ...
的相互作用。電磁輻射與(yu) 磁化體(ti) 的微妙相互作用已經在磁光成像中得到了很好的利用，這成為(wei) 20世紀觀察磁性微觀結構的主要方法。在磁光學中，光的偏振麵在反射(克爾效應)或透射(法拉第效應)時的小旋轉被用來映射磁化。磁光記錄是基於(yu) 相同的效果。這種方法允許在測量過程中施加外部磁場而不影響探針，如果要研究磁化動力學，這是一個(ge) 明顯的優(you) 勢。磁光技術的空間分辨率受衍射限製，但研究人員經常低估光學顯微鏡的能力:分辨率幾乎可以比波長小一個(ge) 數量級。在比較不同的顯微技術時，應該記住，有用的空間分辨率是由信噪比以及光斑大小或相互作用長度決(jue) 定的。定量的、“與(yu) 平台無關(guan) ”的表征手段可以從(cong) 作為(wei) 空間頻率函數的信噪譜中獲得(例如，在具有 ...
光電傳(chuan) 感器1、光子到電子的轉換由於(yu) 光和電的zui小單位分別可用光子和電子表示，我們(men) 可以用這些術語描述探測過程。光子通過光電傳(chuan) 感器轉換為(wei) 電子，並以電流大小輸出。更準確的描述是，如當光子被半導體(ti) 材料吸收時，半導體(ti) 材料的電子從(cong) 價(jia) 帶激發到導帶，然後由電路讀出，作為(wei) 輸出信號。有三種過程可從(cong) 材料中激發出電子：光伏效應，光電導效應，光電發射效應。能夠發生光伏效應的半導體(ti) 傳(chuan) 感器，應該由P型區和N型區組成，並且兩(liang) 區相互拚接形成P-N結，如圖1.1所示。1.1光電二極管原理圖電子吸收光子後，激發到導帶上，但在價(jia) 帶上留下空穴，形成了電子-空穴對。電子在材料內(nei) 部向著P-N結方向擴散或漂移，zui後到達N型區，這樣在N ...
本方程所有的電磁輻射，其電場和磁場的振動方向互相垂直，傳(chuan) 播方向相同。由於(yu) 放射物的磁場矢量是由其電場矢量明確定義(yi) 的，因此偏振分析也隻需考慮一個(ge) 即可。假設角頻率為(wei) w的平麵簡諧波以速度c在z方向上傳(chuan) 播,λ為(wei) 波長。 電場矢量含有兩(liang) 部分Ex(z,t)和Ey(z,t),它可以表示為(wei) :式中,Eox和Eoy為(wei) 波振幅;δx和δy為(wei) 任意相位；t為(wei) 時間。這兩(liang) 部分的相位差可以表示成δ=δx-δy,,其中0≤δ≤2Π。2.橢圓偏振態一般情況下，相互垂直的兩(liang) 束正弦振蕩的電磁波具有相同的頻率和穩定的相位差，此時所形成的李薩如圖形是一個(ge) 橢圓，因此，線偏振光和圓偏振光都可以認為(wei) 是橢圓偏振光的特例。對上麵的兩(liang) 個(ge) 公式進行運算可以得 ...
秒太赫茲(zi) 頻率電磁輻射脈衝(chong) 的自由空間電光采樣對於(yu) 時域太赫茲(zi) 波譜學、時域太赫茲(zi) 成像、光子時間拉伸測量、近場太赫茲(zi) 波顯微鏡和時域太赫茲(zi) 量子光學具有重要意義(yi) 。測量方式需要0.1-10THz帶寬的電光檢測方案，太赫茲(zi) 波譜和成像的檢測閾值為(wei) ~ 1V/cm，加速器和非線性太赫茲(zi) 波譜的縱向電子束長度測量的動態範圍為(wei) ~ MV/cm。此外，射頻(RF)、毫米(mm)和太赫茲(zi) 頻率電場的電光測量在加速器的電子束診斷、等離子體(ti) 物理、生物醫學傳(chuan) 感、激光雷達、微波集成電路和天線表征等領域是必不可少的。線性電光(EO)效應發生在非中心對稱晶體(ti) 中，其中外加電場改變材料的折射率，產(chan) 生偏振和相位調製，也稱為(wei) 波克爾斯效應。電光效應在 ...
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