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半導體(ti) 可飽和吸收體(ti)
MoS2作為(wei) 可飽和吸收體(ti) 的被動調Q激光器實驗裝置的示意圖如圖所示：在 Tm,Ho:YAlO3 (Tm,Ho:YAP) 晶體(ti) 中，Ho3的5I7→5I8激光躍遷用於(yu) 實現2 μm波長範圍的激光發射。 Tm,Ho:YAP 晶體(ti) 用於(yu) 具有155毫米物理腔長的諧振腔。晶體(ti) 的端麵鍍有790-800nm和 1.9-2.2 μm的塗層，反射率小於(yu) 0.5%。一個(ge) 裝有液氮的杜瓦瓶被設計用來將激光晶體(ti) 冷卻到 77 K 的溫度。兩(liang) 個(ge) 激光二極管的中心輸出波長分別為(wei) 794.1 nm 和 794.0 nm，對應的輸出功率分別為(wei) 20 W和20.1 W。用作Tm,Ho:YAP 激光器的泵浦源。實驗中 LD的溫度選擇為(wei) 298.1 ...
製吸收損耗的可飽和吸收體(ti) 調Q。電光調Q技術：電光調Q技術的原理是普克爾斯（Pockels）效應——即一級電光效應，電光晶體(ti) 的雙折射效應與(yu) 外加電場強度成正比，偏振光經過電光晶體(ti) 後，偏振麵旋轉的角度與(yu) 晶體(ti) 長度和兩(liang) 側(ce) 所加電壓的乘積成正比。電光調Q激光器的原理圖如下所示：目前普遍国产成人在线观看免费网站的電光晶體(ti) 有KD*P（磷酸二氫鉀(KDP),磷酸二氘鉀(DKDP)）晶體(ti) 和LN（铌酸鋰LiNbO3）晶體(ti) 。當線偏振光入射到電場中的晶體(ti) 表麵，分解成初相位相同的左旋和右旋兩(liang) 束圓偏振光。在晶體(ti) 中，兩(liang) 束光線的傳(chuan) 播速度不同。即從(cong) 晶體(ti) 中出射時，兩(liang) 束光線存在相位差。則合成的線偏振光的偏振麵已經和入射光的偏振麵存在相位差，稱為(wei) 旋光效應。 ...
的常用裝置是可飽和吸收體(ti) 。可飽和吸收體(ti) 是一種光學器件，它表現出與(yu) 強度相關(guan) 的透射，這意味著該器件的行為(wei) 取決(jue) 於(yu) 通過它的光的強度。對於(yu) 被動鎖模，理想情況下，可飽和吸收體(ti) 選擇性地吸收低強度光，但透射足夠高強度的光。當放置在激光腔中時，可飽和吸收體(ti) 會(hui) 衰減低強度的連續光。然而，由於(yu) 非鎖模激光器所經曆的有點隨機的強度波動，任何隨機的、強烈的尖峰都會(hui) 優(you) 先通過可飽和吸收體(ti) 傳(chuan) 輸。隨著腔體(ti) 中的光振蕩，這個(ge) 過程重複，導致高強度尖峰的選擇性放大而低強度光吸收。在多次往返之後，這會(hui) 導致激光器的一係列脈衝(chong) 和鎖模。在頻域中，如果一個(ge) 模式具有光頻率 ν 並且在頻率 nf 處進行幅度調製，則生成的信號在光頻率 ν - nf 和 ...
Q開關(guan) 是一種可飽和吸收體(ti) ，這種材料的透射率會(hui) 在光強超過某個(ge) 閾值時增加。該材料可以是離子摻雜晶體(ti) ，如Cr:YAG，用於(yu) Nd:YAG 激光器的Q開關(guan) 、可漂白染料或無源半導體(ti) 器件。最初，可飽和吸收體(ti) 的損耗很高，一旦大量能量存儲(chu) 在增益介質中，就可以產(chan) 生一些激光。隨著激光功率的增加，它會(hui) 使吸收體(ti) 飽和，即迅速降低諧振腔損耗，從(cong) 而使功率可以更快地增加。理想情況下，這會(hui) 使吸收器進入低損耗狀態，以允許通過激光脈衝(chong) 有效提取存儲(chu) 的能量。脈衝(chong) 結束後，吸收體(ti) 在增益恢複之前恢複到高損耗狀態，從(cong) 而延遲下一個(ge) 脈衝(chong) ，直到增益介質中的能量完全補充。脈衝(chong) 重複率隻能間接控製，例如改變激光器的泵浦功率和腔中可飽和吸收體(ti) 的數量。相關(guan) 文獻 ...
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