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更厚的半導體(ti) 有源層導致更差的熱性能和更具有挑戰性的製造,等等。值得注意的是,2001年Beck等人基於(yu) 9.1μm inp匹配設計首次演示了QC激光器的室溫(RT)連續工作(CW),而由於(yu) 高應變InGaAs/InAlAs材料生長技術的改進和發展,才在MWIR波長下演示了高功率RT連續工作,從(cong) 而實現了防止高能電子從(cong) 較高激光能級泄漏到更高激光能級的設計活躍區域的能量水平。這是提高QC激光器的特征溫度T0和T1的關(guan) 鍵因素之一,從(cong) 而在高溫下實現高連續波功率發射。如今,量子級聯激光器是一種完全可部署的設備,可在室溫及以上環境下工作,能夠在具有挑戰性的環境條件下操作和存儲(chu) 。總的來說,這種技術的成熟程度正在接 ...
成了HTL和有源層之間的界麵層,這不僅(jin) 可以保護活性層免受劣化,還可以促進和平衡電荷-載流子傳(chuan) 輸現象。理想情況下,空穴界麵層應(i)易於(yu) 製造,(ii)在表麵能方麵與(yu) PEDOT:PSS HTL和活性層兼容,(iii)具有能級適合的分子軌道(HOMO),以及(iv)表現出良好的導電性和高空穴傳(chuan) 輸率。從(cong) 這個(ge) 角度來看,石墨烯(Gr)因其可調功函數和良好的電導率,比許多二維(2D)材料更受青睞。使用商業(ye) 化學氣相沉積(CVD)石墨烯被認為(wei) 是成功阻止PEDOT:PSS中酸性PSS組分滲透的有利選擇。然而,高電導率和電子空穴以及良好的電荷親(qin) 和力反而會(hui) 幹擾器件中的電荷傳(chuan) 輸。石墨烯的sp 2平麵內(nei) 碳的惰性性質不適合 ...
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