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成了PN結(阻擋層)。N區自由電子向P區擴散,P區空穴向N區擴散,N區就形成帶正電離子,P區就形成帶負電離子。於(yu) 是PN結形成了由N區指向P區的內(nei) 電場。這個(ge) 內(nei) 電場會(hui) 產(chan) 生兩(liang) 種性質:1.阻礙多子擴散運動(N區自由電子向P區擴散,P區空穴向N區擴散)2.促進少子漂移作用(由本征激發產(chan) 生的自由電子和空穴,數量極少)由於(yu) 內(nei) 電場的這兩(liang) 種性質,當給PN結加正向電壓時(P區接正極,N區接負極),形成的外電場會(hui) 與(yu) 內(nei) 電場方向相反,外電場的引入促進了多子擴散,削弱了內(nei) 電場,電流可以順利通過,形成較大的擴散電流。由於(yu) 擴散電流遠大於(yu) 漂移電流,則可以忽略漂移電流的影響,PN結呈現低阻性,PN結處於(yu) 導通狀態。當PN結接反向電 ...
a) 包含阻擋層的有機半導體(ti) 器件結構示意圖。插圖:由電子受體(ti) 材料(PC71BM 和 eh-IDTBR)組成的感光層的納米結構填充示意圖。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結構。通過以6 mW cm-2的入射功率密度打開和關(guan) 閉 LED 來評估有機半導體(ti) 器件的響應時間。如圖2所示,富勒烯受體(ti) 有機半導體(ti) 表現出 6.24 µs 的上升時間和 10.8 µs 的下降時間。由於(yu) OPD器件的響應時間受內(nei) 部電容和電荷傳(chuan) 輸時間的影響,推測 PC71BM 具有較高的內(nei) 部電容和較大的陷阱位點。非富勒烯受體(ti) OPD器件的上升和下降時間分別為(wei) 2.72 µs和4.32 µs。圖2 a ...
之間穿過絕緣阻擋層的隧道電流依賴於(yu) 磁層中磁化方向的相對方向。例如,這種效應目前国产成人在线观看免费网站於(yu) 數字磁記錄的讀磁頭,並將用於(yu) 目前正在開發的未來磁隨機存取存儲(chu) 器。c自旋轉矩傳(chuan) 遞:由兩(liang) 個(ge) 鐵磁層組成的納米結構堆棧中,由自旋極化電子對其中一層磁化所施加的轉矩引起的鐵磁層磁化的電流感應開關(guan) 。這是一種在磁阻器件中轉換磁化強度的方法,目前正在深入研究中。d自旋晶體(ti) 管:三端器件,其中發射極(E)和集電極(C)之間的電流取決(jue) 於(yu) 發射極和基極(B)之間的電流,此外,還取決(jue) 於(yu) 兩(liang) 個(ge) 鐵磁層的相對方向。e帶隧道勢壘的自旋晶體(ti) 管:像(d)一樣的三端器件,其中發射極偏置電壓可以用來調節注入集電極的電子的能量。zui後兩(liang) 個(ge) 裝置僅(jin) 僅(jin) 代表了所謂 ...
件中集成絕緣阻擋層,使實驗人員能夠靈活地在不同的偏置電壓下操作同一器件,從(cong) 而注入不同能量的熱電子。對類似結構進行優(you) 化,在室溫下產(chan) 生了3400%的磁阻效應。傳(chuan) 輸比,即這種器件的基極電流和集電極電流之間的比率,目前小於(yu) 1(在10−6和10−4之間,因此不會(hui) 獲得像實際晶體(ti) 管那樣的放大。然而,通過磁性來編程或控製邏輯運算的想法是在開發更有效的自旋注入半導體(ti) 方麵,人們(men) 付出了巨大的努力。目前出現的另一種方法是通過電場來操縱多鐵性係統的磁化。多鐵性材料具有耦合的電、磁和結構序參數,從(cong) 而同時具有鐵電性、鐵磁性和鐵彈性。在這種共存的情況下,磁化可以受到電場的影響,而電場的極化可以受到磁場的影響,這種特性被稱為(wei) “ ...
0.35As阻擋層以粗體(ti) 標示,Ga0.32In0.68As井層以楷體(ti) 標示,n摻雜2.11017 cm−3層以下劃線標示。我們(men) 計算了該結構的傳(chuan) 導能帶能量圖,作為(wei) 施加電場從(cong) 87到116 kV/cm的函數,得到預期的過渡頻率範圍從(cong) 2137到2583 cm−1,如圖1b所示。計算由於(yu) “對角線”躍遷設計固有的線性斯塔克效應,頻率隨著外加電場的增加而增加偶極矩陣元表示光躍遷的強度,在103 kV/cm指定電場附近達到Max值,與(yu) 防交叉場重合。由於(yu) 發射頻率取決(jue) 於(yu) 工作閾值電壓,激光閾值電壓的變化可以實現增益譜的調諧。前者可以通過改變閾值電流密度來實現,而閾值電流密度又可以通過改變腔長來非常有效地改變。圖1為(wei) 了 ...
為(wei) :從(cong) 注入層阻擋層厚度開始,以納米為(wei) 單位:4.0/1.26/ 1.3/ 4.40/ 1.3/3.87/ 1.4/3.72/ 2.3/2.88/ 1.8/2.58/ 1.9/2.29/ 2.0/ 2.19/ 2.2/2.09/ 2.2/1.86/ 2.9/1.86,Al0.64In0.36As層以正字體(ti) 打印,Ga0.33In0.67As層以斜體(ti) 字體(ti) 交替打印。所有層都生長在n摻雜Si, 21017 cm−3 InP襯底上。活性區有30個(ge) 活性/注入器堆棧,平均摻雜從(cong) 原來的21016 cm - 3減少到標稱的1.61016 cm- 3。InGaAs波導層的厚度從(cong) 0.3增加到0.4 um, InGaAs ...
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