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光电导开关法图1 光电导开关法辐射太赫兹原理图如图1，太赫兹光电导天线是在低温生长的半导体表面上沉积两片金属电极，两端电极之间保持一条微米量级宽度的空隙。在光电导开关两端上施加偏置电压后，当飞秒激光聚焦到天线缝隙表面时，基底材料中的电子吸收能量并从价带跃迁到导带，在天线表面瞬间（10-14 s）生成光生载流子（电子）。电子在偏置电场的加速作用下定向迁移生成瞬态光电流，进而向外辐射太赫兹波。理论上只要外加电场足够强，太赫兹辐射就可以得到显著的增强，但是实际实验中过高的能量会导致光电导开关被损坏。另外半导体基底、金属电极的几何结构与泵浦激光脉冲持续时间共同影响着光电导天线（光电导开关）的性能。半导 ...
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