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光譜型橢偏儀的校準(六)-樣片的均勻性考核

發布時間:2023-08-01 13:41:59 瀏覽量:1673 作者:Alex

摘要

本文采用了半導體(ti) 熱氧化工藝製備膜厚標準樣片,該樣片使用4寸矽晶圓片製備。在製備完成後我們(men) 還需要對樣片進行穩定性和均勻性的考核。

正文


光譜型橢偏儀(yi) 的校準(六)-樣片的均勻性考核


樣片的均勻性考核實驗 


膜厚標準樣片作為(wei) 一種標準物質,其測量區域均勻性和穩定性一定要好。在樣片製備完成後,我們(men) 需要使用3台同型號的光譜型橢偏儀(yi) 對其測量區域的均勻性和穩定性進行了考核,取這3台儀(yi) 器測量結果的平均值來作為(wei) 考核結果。為(wei) 確保量值準確可溯源,使用相同標稱厚度的膜厚標準樣片作為(wei) 標準,光譜型橢偏儀(yi) 作為(wei) 比較儀(yi) ,采用比對測量的方式對製備樣片的厚度進行測量,測量結果按照下式進行處理。



式中:

Tvlsi — VLSI標準樣片證書(shu) 上給出的樣片厚度量值;

tVLSI13 — 13所測量得到的VLSI標準樣片的量值;

tCETC13  — 未修正的13所膜厚樣片的測量值;

tc— 修正後的 1 3所膜厚樣片的測量值。

選擇樣片上、中、下、左、右 5 個(ge) 位置進行考核如圖1所示。


 樣片均勻性考核區域


以5個(ge) 位置測量結果的zui大差值作為(wei) 該樣片的均勻性,表1為(wei) 考核結果。由表可知,樣片厚度平均值與(yu) 標稱值的zui大偏差僅(jin) 為(wei) 0.5%,滿足了樣片的設計要求。


位置

薄膜厚度

2

50

500

1.93

49.79

501.32

2.04

49.87

501.42

2.05

49.93

502.30

1.99

49.66

501.69

2.03

50.07

502.00

均勻性

0.12

0.41

0.98

平均值

2.01

49.86

501.75

表1膜厚樣片均勻性考核結果


按照上述公式可知 ,樣片測量結果的不確定度主要由三部分引入:VLSI標準樣片引入的不確定度 (擴展因子k =2);光譜型橢偏儀(yi) 測量重複性引入的不確定度;樣片的均勻性引入的不確定度(擴展因子k=2.26)。各不確定度分量及樣片的測量不確定度評定結果見表2。


不確定度分量

薄膜厚度

2

50

500

標準樣片

0.03

0.07

0.20

重複性

0.01

0.01

0.01

均勻性

0.05

0.18

0.43

擴展不確定度

0.12

0.38

0.96

表2 膜厚樣片均勻性考核結果



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